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不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换JT075N065WED型号适用于各类工业及通用变频器应用。

它就是FHA75T65V1DL型号IGBT单管，它具有75A、650V电流、电压参数，完全满足变频器功率级的设计要求，并能无缝代换JT075N065WED IGBT单管。

FHA75T65V1DL采用飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII）技术工艺设计：

实现极低的VCE(sat) (典型值1.55V，最大值1.8V)，显著降低导通损耗。

优化的开关特性：提供高速开关能力（降低开关损耗），同时通过工艺控制开关过程的di/dt和dv/dt，有助于改善EMI性能并降低关断电压尖峰。

优异的短路耐受能力(SCWT)：确保在电机侧发生短路故障时，器件能承受短时间的过流冲击，为保护电路动作提供关键时间窗口。

极短的拖尾电流：有助于降低关断损耗。

在封装上面，该IGBT单管属于TO-247-3L外形封装，合封了快恢复二极管，支持双向能量流动，且适配市场大多数电路设计。

从FHA75T65V1DL的IGBT单管参数可看：Vge（th）（±V）：30；IC-100℃（A）：75A；V(BR)CES(V)：650V。饱和压降VCESAT(V)：1.55V（Typ）、1.8V（Max）；最高结温Tjmax = 175°C。

正是上述参数，让FHA75T65V1DLIGBT单管是能更好代换JT075N065WED型号参数用于变频器的电路。

FHA75T65V1DL拥有高速开关，低开关损耗；参数一致性高；正温度系数；无铅，满足ROHS环保要求等产品特点。让其不仅能用于变频器电路，也广泛应用于UPS、电焊机、开关电源等硬开关拓扑场合。

好产品才能赢得市场。若您在变频器研发中遇到IGBT选型问题，特别是需要选择75A、650V规格的IGBT单管，我们强烈推荐选用FHA75T65V1DL型号。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT单管产品。